Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IRF9510 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 100 | - | - | - | - | 1200 | 4 | 43 |
TO-220AB |
|
STP12NM60N | N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 10 | 90 |
TO-220 |
|
FQP3N80C | 800V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4000 | 3 | 107 |
TO-220 |
|
IRFIBF20G | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 8000 | 1.2 | 30 |
TO-220F |
|
DMN66D0LW | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3000 | 0.115 | 0.2 |
SOT-323 |
|
IRFU2407 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 26 | 42 | 110 |
|
|
STB160N75F3 | N-channel 75V - 3.5m? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 3.2 | 120 | 330 |
D2-PAK |
|
IRF530PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 160 | 14 | 88 |
TO-220AB |