Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTP1R6N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |
|
IXTA1R6N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 1.6 | 100 |
|
|
IXTA6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
DMN32D2LV | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 2200 | - | - | - | - | 0.4 | 0.4 |
|
|
DMN32D2LDF | COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 30 | 2200 | - | - | - | - | 0.4 | 0.28 |
|
|
IXTH6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
IXTP6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
TO-220AB |
|
IXTT12N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 12 | 890 |
|
|
IXTY3N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 3.6 | 70 |
TO-252 |
|
IXTP3N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 3.6 | 70 |
TO-220 |
|
IXFP3N50PM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2.7 | 36 |
|
|
IXTA3N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 3.6 | 70 |
|
|
IXFM6N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 6 | 180 |
|
|
IXFH6N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 6 | 180 |
|
|
IXTP4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
TO-220 |
|
IXTA4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
|
|
IXTH5N100A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 5 | 180 |
|
|
IXTM5N100A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 5 | 180 |
|
|
IXTY4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
TO-252 |
|
IXTU4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
|