Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTH3N150 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 7300 | 7300 | 7300 | 7300 | 7300 | 3 | 250 |
|
|
IXTY2N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2 | 86 |
TO-252 |
|
IXTP2N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2 | 86 |
TO-220 |
|
IXTA2N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2 | 86 |
|
|
IXTP2R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2.4 | 125 |
TO-220 |
|
IXTH2R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2.4 | 125 |
|
|
IXTA2R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2.4 | 125 |
|
|
CPC5602 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 0.13 | 1.6 |
SOT-223-4 |
|
IXTN5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 700 |
|
|
IXTX5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
IXTK5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
Si1034X | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 20 | 9000 | - | 7000 | 5000 | - | 0.18 | 0.25 |
SC89-6 |
|
FDY301NZ | Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | - | 5000 | - | 0.2 | 0.625 |
|
|
Si1032X | N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | 7000 | 5000 | - | 0.2 | 0.3 |
SC89-3 |
|
Si1032R | N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | 7000 | 5000 | - | 0.2 | 0.3 |
SC75A |
|
IXTY1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
TO-252 |
|
IXTU1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
|
|
IXTP1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
TO-220 |
|
IXTY1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-252 |
|
IXTP1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |