Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTY2N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 5100 5100 5100 5100 5100 2 55 TO-252
IXTP2N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 5100 5100 5100 5100 5100 2 55 TO-220
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 N 1 300 - - 4800 - 3700 350 1.5 SOT-223-4
IXTP3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-220
IXTH3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-247
IXTA3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-263
BSN304 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 N 1 300 - - 4800 - 3700 0.3 1 TO-92
IXTY08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-252
IXTP08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-220AB
IXTA08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-263
IXFP3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXFA3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXTH3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 150 TO-247
IXTP3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXTA3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
FDC6301N Dual N-Channel , Digital FET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 25 - - 3800 3100 - 0.22 0.9 SSOT-6
FDV301N Digital FET , N-Channel Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 25 - - 3800 3100 - 0.22 0.35 SOT-23-3
IXTY2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-252
IXTP2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники