Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTU05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-251
IXTA05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-263
IXTP1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-220
IXTY1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-252
IXTA1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-263
CPC5603 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 415 14000 14000 14000 14000 14000 0.13 2.5 SOT-223-4
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
IXTY1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-252
IXTU1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-251
IXTP1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-220
IXTA1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-263
IXTP1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-220
IXTA1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-263
Si1033X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 15000 - 12000 8000 - 0.15 0.25 SC89-6
Si1031X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 15000 - 12000 8000 - 0.155 0.3 SC89-3
Si1031R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 15000 - 12000 8000 - 0.155 0.3 SC75A
IXTP1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-220
IXTA1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-263
IXTP1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-220
IXTY1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-252
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019