Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFN300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 295 | 1070 |
SOT-227 |
|
IRFS3006-7PPbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.5 | 293 | 375 |
D2-PAK-7 |
|
FDMT80060DC | N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 60 В, 292 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.1 | 292 | 156 |
|
|
NVMFS5C604NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1.7 | 1.2 | 287 | 200 |
|
|
NTMFS5C604NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1.7 | 1.2 | 287 | 200 |
|
|
IRF2804S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 280 | 330 |
D2-PAK |
|
IRF2804L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 280 | 330 |
TO-262 |
|
IRF2804 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 280 | 330 |
TO-220AB |
|
IXFN280N085 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | ISSI |
MOSFET |
N | 1 | 85 | - | - | - | - | 4.4 | 280 | 700 |
SOT-227 |
|
STV300NH02L | N-channel 24V - 0.8m? - 280A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | - | 0.8 | 280 | 300 |
|
|
IXFN280N085 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 4.4 | 4.4 | 4.4 | 4.4 | 4.4 | 280 | 700 |
SOT-227 |
|
IXFN280N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 70 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 280 | 600 |
|
|
IXTV280N055TS | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
IXTV280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
IXTQ280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
IXTH280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
IRLSL3036PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2.2 | 1.9 | 270 | 380 |
TO-262 |
|
IRLS3036PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2.2 | 1.9 | 270 | 380 |
D2-PAK |
|
IRLB3036PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2.2 | 1.9 | 270 | 380 |
TO-220AB |
|
IXTV270N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 270 | 625 |
|