Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFX320N17T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 170 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 320 | 1670 |
|
|
IXFK360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 360 | 1670 |
|
|
IXFX360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 360 | 1670 |
|
|
IXFK170N20T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 230 | 1670 |
|
|
IXFX170N20T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 230 | 1670 |
|
|
IXFB132N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 39 | 39 | 39 | 39 | 39 | 132 | 1890 |
|
|
IXFB120N50P2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 43 | 43 | 43 | 43 | 43 | 120 | 1890 |
|
|
IXFB110N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 56 | 56 | 56 | 56 | 56 | 110 | 1890 |
|