Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFX170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXFX170N20T, N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 200
RDS(ON) 1.8 В,мОм 7.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 7.5
RDS(ON) 2,5 В,мОм 7.5
RDS(ON) 4.5 В,мОм 7.5
RDS(ON) 10 В,мОм 7.5
ID,А 230
PD,Вт 1670
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXFx230N20T (123.5 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx230N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор (123.5 Кб), 20.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 778 		Дата публикации: 20.01.2012 12:30
Дата редактирования: 20.01.2012 12:31

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (926) 618 1287 | email: admin@eust.ru

© 1998-2019 ООО Рынок Микроэлектроники