Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FDI3632 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 7.5 | 12 | 310 |
|
|
PSMN035-150P | N-канальный полевой транзистор | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 35 | 50 | 250 |
TO-220AB |
|
TN0620 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 4000 | 1 | 1 |
TO-92 |
|
FA38SA50LC | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 130 | 38 | 500 |
SOT-227 |
|
IXTH3N150 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 7300 | 7300 | 7300 | 7300 | 7300 | 3 | 250 |
|
|
STB7NK80Z | N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1500 | 5.2 | 125 |
D2-PAK |
|
IXTY55N075T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 19.5 | 19.5 | 19.5 | 19.5 | 19.5 | 55 | 130 |
TO-252 |
|
FCD2250N80Z | N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 0.00225 | 2.6 | 39 |
D-PAK |
|
FDD2572_F085 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 45 | 29 | 135 |
|
|
STE110NS20FD | N-channel 200V - 0.022? - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 22 | 110 | 500 |
D-PAK TO-252 |
|
STB5NK52ZD | N-channel 520 V,1.22 ?,4.4 A,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 520 | - | - | - | - | 1220 | 4.4 | 70 |
|
|
IRFB3006PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.1 | 195 | 375 |
TO-220AB |
|
IXFK27N80Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 320 | 320 | 320 | 320 | 320 | 27 | 500 |
|
|
IRF3709ZS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 7.8 | 6.3 | 87 | 79 |
D2-PAK |
|
FQPF7N65C | 650V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 1200 | 7 | 160 |
TO-220F |
|
STB19NM65N | N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 250 | 15.5 | 150 |
D2-PAK |
|
IXFH30N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 30 | 500 |
|
|
TSM3442CX6 | N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 4 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | 90 | - | 70 | - | 4 | 1.25 |
|
|
IRL3803S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 9 | 6 | 140 | 200 |
D2-PAK |
|
FDD3690 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 44 | 22 | 60 |
D-PAK TO-252 |