FCD2250N80Z N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А

 

Блок-схема

FCD2250N80Z, N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 800
RDS(ON) 10 В,мОм 0.00225
ID 2.6
PD,Вт 39
Корпус D-PAK

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Высокий показатель добротности (FOM): заряд затвор-сток QGD = 11 нКл (при сопротивлении открытого канала 650 мОм)
  • Низкое значение общего заряда затвора: QG = 27 нКл (при сопротивлении открытого канала 650 мОм)
  • Низкое значение накопленной энергии EOSS: 2.8 мкДж при напряжении сток-исток 400 В и сопротивлении открытого канала 650 мОм
  • Превосходные характеристики встроенного шунтирующего диода: время обратного восстановления tRR = 365 нс, заряд обратного восстановления QRR = 5.9 мкКл, максимальное прямое напряжение VF(MAX) = 1.2 В
  • Высокая скорость нарастания выходного напряжения: более 100 В/нс
  • Высокая скорость нарастания тока через диод: более 200 А/мкс
  • Встроенный стабилитрон в цепи затвора для высокой стойкости к статическим разрядам

Область применения:

  • Светодиодное освещение
  • Солнечные инверторы
  • Промышленные источники питания
  • Автоматизация предприятий
  • Интеллектуальные приборы учета
  • Бытовые и профессиональные аудиосистемы
Datasheet
 
FCD2250N80Z (758.3 Кб), 02.07.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FCD2250N80Z N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А (758.3 Кб), 02.07.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 630
Дата публикации: 02.07.2015 11:23
Дата редактирования: 02.07.2015 11:26


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019