Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTP01N100D | Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.4 | 25 |
TO-220 |
|
IXTY01N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.1 | 25 |
|
|
IXTU01N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.1 | 25 |
|
|
IXTV03N400S | N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 4000 | 290000 | 290000 | 290000 | 290000 | 290000 | 0.3 | 130 |
|
|
IXTH03N400 | N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 4000 | 290000 | 290000 | 290000 | 290000 | 290000 | 0.3 | 130 |
|
|
IXTF03N400 | N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор 4000 В, 0.3 А | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 4000 | 300000 | 300000 | 300000 | 300000 | 300000 | 0.3 | 70 |
|
|
IXTV02N250S | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 450000 | 450000 | 450000 | 450000 | 450000 | 0.2 | 57 |
|
|
IXTH02N250 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 450000 | 450000 | 450000 | 450000 | 450000 | 0.2 | 57 |
|