IXTP01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения

 

Блок-схема

IXTP01N100D, Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 80000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 80000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 80000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 80000
RDS(ON) 10 В,мОм 80000
ID 0.4
PD,Вт 25
Корпус TO-220

Общее описание

Datasheet
 
IXTP01N100D, IXTU01N100D, IXTY01N100D (94.1 Кб), 20.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTP01N100D, IXTU01N100D, IXTY01N100D High Voltage MOSFET (94.1 Кб), 20.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1644 Дата публикации: 20.02.2009 12:36
Дата редактирования: 23.01.2012 08:31


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019