Компоненты группы Диоды Шоттки
|
Диод Шоттки (назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка нескольких десятков вольт. |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DSA30I150PA | Высокопроизводительный диод Шоттки |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
1 | 150 | 30 | 0.8 | 900 | 200 | 175 |
TO-220 |
| DSA60C45PB | Сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 30 | 0.67 | 900 | 280 | 175 |
TO-220AB |
| IDH10SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 10 | 2.1 | 860 | 51 | 175 |
TO-220 |
| IDD10SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 10 | 2.2 | 860 | 51 | 175 |
TO-252 |
| SS10P4 | Ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 40 | 10 | 0.56 | 800 | 280 | 150 |
|
| SS10P3 | Ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 30 | 10 | 0.56 | 800 | 280 | 150 |
|
| SBLB10L25 | Ограничительный диод Шотки с малым падением прямого напряжения |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 25 | 10 | 0.35 | 800 | 240 | 150 |
D2-PAK |
| SBLF10L25 | Ограничительный диод Шотки с малым падением прямого напряжения |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 25 | 10 | 0.35 | 800 | 240 | 150 |
|
| SBL10L25 | Ограничительный диод Шотки с малым падением прямого напряжения |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 25 | 10 | 0.35 | 800 | 240 | 150 |
|
| IDH09SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 9 | 2.1 | 800 | 49 | 175 |
TO-220 |
| V30DM120C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 30 | 0.67 | 800 | 150 | 150 |
|
| IDD09SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 9 | 2.2 | 800 | 49 | 175 |
TO-252 |
| V60D120C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 60 | 0.7 | 800 | 320 | 150 |
|
| M30L40C | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 40 | 30 | 0.62 | 720 | 280 | 150 |
TO-220AB |
| DSA80C100PB | Высокопроизводительный сдвоенный диод Шоттки, конфигурация с общим катодом |
|
IXYS |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 40 | 0.73 | 700 | 400 | 175 |
TO-220AB |
| IDH08SG60C | SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ! |
|
Infineon Technologies |
Диоды Шоттки |
1 | 600 | 8 | 2.1 | 700 | 42 | 175 |
TO-220 |
| MI3060C | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 30 | 0.75 | 700 | 160 | 150 |
|
| MF3060C | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 30 | 0.75 | 700 | 160 | 150 |
|
| M3060C | Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 30 | 0.75 | 700 | 160 | 150 |
TO-220AB |
| V10D60C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 10 | 0.5 | 700 | 100 | 150 |
|
