+ V30DM120C, Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS®
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

V30DM120C Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS®

 



Блок-схема

V30DM120C, Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS®

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM,В 120
IF(AV),А 30
VF (макс.),В 0.67
IR (макс.),мкА 800
IFSM (макс.),А 150
TJ (макс.),°C 150
Корпус TO-263CA

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS
  • Малое падение прямого напряжения, малые потери мощности
  • Высокая эффективность
  • Низкопрофильный корпус TO-263AC (SMPD), высота корпуса: 1.7 мм (тип.)
  • Адаптирован под автоматический монтаж на печатную плату
  • Максимальная рабочая температура перехода 150°C
  • Допустимый уровень влажности MSL 1
  • Отвечает требованиям RoHS
Datasheet
 
V30DM120C (123.4 Кб), 06.02.2014

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

V30DM120C Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® (123.4 Кб), 06.02.2014



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 563 		Дата публикации: 06.02.2014 13:01
Дата редактирования: 06.02.2014 13:02

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники