Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
A67P83361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 256Кх36 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
HY27UF084G2M | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
IDT7200L15SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
|
A63P9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
MR0A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит | Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
CY7C4245-10AXC | Синхронная FIFO организацией 4K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
|
MT29F4G08AAA | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
IS61QDB42M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
|
M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
IDT72V02L15J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 1K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
A67P93181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
IDT7200L12TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
CY7C4142KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц | Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
|
CY7C4235-15AXC | Синхронная FIFO организацией 2K x 18, 15 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
|
IS61QDB41M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
|
M48T12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT72V01L35J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
A67P8336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 256Кх36 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
M48Z35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |