Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IDT7200L30TDB | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 30 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
| KFWAGH6U4M | 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| CY7C4261V-15JXC | Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| NAND02GR4B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| HY27UF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| IDT72V82L20PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 1K x 9 бит х 2, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
| KFH4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| SRT512 | Микросхемы памяти с бесконтактным доступом на коротком расстоянии работают на частоте 13.56 МГц и интегрируют 512 бит EEPROM и функции защиты от коллизий |
|
STMicroelectronics |
Память |
- | - | 2.5 ... 3.5 | -40 ... 85 |
|
| AT45DB081B | 8 Мбит, 2.5- или 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-28 |
| CY7C421–20JXC | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| K9F8G08U0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| IDT7200L20TDB | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
| KFWAGH6Q4M | 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| CY7C4261V-10JXC | Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 10 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| NAND02GW3B2D | 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| IDT72V81L20PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9 бит х 2, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
| KFG2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DQ321 | 32 Мбит, последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт) стирание, побайтовая или постраничная (1...256 байт) запись, функция записи/чтения четырех бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16-Wide |
| AT45DB041E | 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
| CY7C421–15AXC | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
