Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1029 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1028 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| AT45DB642D | 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 TSSOP-28 |
| M45PE16 | 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| DS1742 | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-24 |
| AT45DB011D | 2.7 В, 1 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| 1645РК2Т | Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит |
|
Миландр |
Синхронная FIFO |
- | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
|
| AS7C32096A | Асинхронная статическая память 256Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1245W | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| IS64C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| 1636РР4У | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
|
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н16.48-1В |
| IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
| CAV24C08 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 8 Кбит, автомобильного исполнения |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
1 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| CAT24AA08 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 8Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS61WV10248BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
