Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
KFM4GH6Q4M | 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F1G08U0B | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFH2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
R1LV3216R-5S | 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
2048 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
M5M51008D-55H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0414D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0816ASB-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
M5M5W816WG-85H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5V216ATP-55H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV3216R-7S | 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
2048 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
M5M51008D-70H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0816ABG-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V216ATP-70H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |