Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
KFG1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
KFH1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F1208R0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
KFG1G16U2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
KFKAGH6Q4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F2G08U0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
KFW8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
KFM1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K6R4008C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В Samsung Electronics High Speed SRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
K9NBG08U5A 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
KFG4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F1208B0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.5 ... 2.9 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
KFM2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K6R4004C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В Samsung Electronics High Speed SRAM
1024 4 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
K9G4G08B0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.5 ... 2.9 -40 ... 85 TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019