Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M5M5W816WG-70H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| IS61NVVP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 1.71 ... 1.89 | -40 ... 85 |
|
| DS1350Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| GS78116A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (512K x 16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| M5M5W816WG-55H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| DS1350AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51216ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62157EV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| DS2050W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61NVF51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY62157EV18 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV51216BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
