Главная > Документация > Микросхемы

Компоненты группы Память

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
V_CC (В)	От до
T_A (°C)	От до
Корпус

Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 60 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Организация		V_CC В	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Слов K	Разрядов бит	V_CC В	T_A °C	Корпус

R1LV1616R-8S	16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит)		Renesas	Low Power SRAM	1024	16	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	TSOPI-48 ?TSOP-52 FBGA-48
IS61LPS102418A	Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18		ISSI	High Speed SRAM	1024	18	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	TQFP-100 PBGA-119 PBGA-165
R1LV1616R-7S	16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит)		Renesas	Low Power SRAM	1024	16	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	TSOPI-48 ?TSOP-52 FBGA-48
A64S06161A	Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16		AMIC Technology	Low Power SRAM	1024	16	2.7 ... 3.3	-40 ... 85	FBGA-48
DS28E01-100	Недорогая защищенная в соответствии с SHA-1 микросхема EEPROM объемом 1Кбит с однопроводным интерфейсом 1-Wire		Maxim Integrated	EEPROM	1024	1	2.8 ... 5.25	-40 ... 85	TO-92 TDFN-6 TSOC-6
R1LV1616R-5S	16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит)		Renesas	Low Power SRAM	1024	16	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	TSOPI-48 ?TSOP-52 FBGA-48
A64S06162A	Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16		AMIC Technology	Low Power SRAM	1024	16	2.7 ... 3.3	-40 ... 85	FBGA-48
CY7S1061G30	Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC		Cypress	High Speed SRAM	1024	16	2.2 ... 3.6	-40 ... 85	TSOPI-48 TSOPII-54 VFBGA-48
K6R4004C1D	Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В		Samsung Electronics	High Speed SRAM	1024	4	4.5 ... 5.5	-40 ... 85	SOJ-32
IS61VPS102418A	Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18		ISSI	High Speed SRAM	1024	18	2.375 ... 2.7	-40 ... 85	TQFP-100 PBGA-119 PBGA-165
A64E06161	Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16		AMIC Technology	Low Power SRAM	1024	16	1.7 ... 1.95	-25 ... 85	BGA-48
CY7S1061G18	Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC		Cypress	High Speed SRAM	1024	16	1.65 ... 2.2	-40 ... 85	TSOPI-48 TSOPII-54 VFBGA-48
IS61QDB21M36	Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36)		ISSI	High Speed SRAM	1024	36	1.71 ... 1.89	0 ... 70	FBGA-165
CY7S1061G	Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC		Cypress	High Speed SRAM	1024	16	4.5 ... 5.5	-40 ... 85	TSOPI-48 TSOPII-54 VFBGA-48
BS616LV1611	Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб		Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI)	Low Power SRAM	1024	16	2.4 ... 5.5	-40 ... 85	TSOPI-48 BGA-48
A63L0618	Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18		AMIC Technology	High Speed SRAM	1024	18	3.1 ... 3.5	-25 ... 85	LQFP-100
IS61QDB41M36	Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36)		ISSI	High Speed SRAM	1024	36	1.71 ... 1.89	0 ... 70	FBGA-165
R1LV0808ASB-7SI	8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM		Renesas	Low Power SRAM	1024	8	2.4 ... 3.6	-40 ... 85	TSOPI-48 ?TSOP-52 FBGA-48
R1LV0808ASB-5SI	8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM		Renesas	Low Power SRAM	1024	8	2.4 ... 3.6	-40 ... 85	TSOPI-48 ?TSOP-52 FBGA-48
IS61NVP102436A	Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36		ISSI	High Speed SRAM	1024	36	2.375 ... 2.75	-40 ... 85	TQFP-100 PBGA-165

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 60 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск