Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
M48Z128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z128V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
DS1556 | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
DS1556W | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
M48Z2M1V | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z2M1Y | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
DS3070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS2070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M48T02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48T12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
DS1265AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1265Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1265W | Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1225AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 64Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-28 |
|
DS1225AD | Энергонезависимая SRAM емкостью 64Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-28 |
|
DS1243Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 64 кбит со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
MOD-28 |
|
DS1251W | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
DS1251Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |