Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
LP62E16128A-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
|
AT45DB021E | 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® | Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
|
IS62WV51216ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
IS61WV25616ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
IS62WV5128ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
K9F1208R0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
LP62E16256E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
|
IS61WV12816DALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV25616ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
MB85RDP16LX | Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объемом 16 Кбит со сверхнизким энергопотреблением и интегрированной функцией счётчика | Fujitsu Microelectronics |
FRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 105 |
|
|
MT29F1G16ABB | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
MT29F1G08ABB | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
IS62WV2568ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
CY62147EV18 | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
|
CY62147DV18 | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
LP62E16512-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
CY7S1061G18 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC | Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
LP62E16512-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |