Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| 2M30Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 30 | 16.6 | 20 | 0.25 | 1000 | 22.8 | 0.5 | 175 |
|
| MTZJ3V9B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.025 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
| BZX55C62 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 62 | 2.5 | 150 | 0.5 | 1000 | 47 | 0.1 | 200 |
|
| 1N4754G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 39 | 6.5 | 60 | 0.25 | 1000 | 29.7 | 5 | 200 |
|
| BZT55B62 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 62 | 2.5 | 150 | 0.5 | 1000 | 47 | 0.1 | 175 |
|
| 1SMA4752 | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 33 | 7.5 | 45 | 0.25 | 1000 | 25.1 | 1 | 150 |
|
| MTZJ3V9A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.875 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
| BZX55C56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.5 | 135 | 0.5 | 1000 | 42 | 0.1 | 200 |
|
| 1N4753G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 36 | 7 | 50 | 0.25 | 1000 | 27.4 | 5 | 200 |
|
| BZT55B56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.5 | 135 | 0.5 | 1000 | 42 | 0.1 | 175 |
|
| 1SMA4751 | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 30 | 8.5 | 40 | 0.25 | 1000 | 22.8 | 1 | 150 |
|
| MTZJ3V6B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.723 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 10 | 200 |
|
| 1N4752G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 33 | 7.5 | 45 | 0.25 | 1000 | 25.1 | 5 | 200 |
|
| MTZJ3V6A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.6% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.575 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 10 | 200 |
|
| 1N4751G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 30 | 8.5 | 40 | 0.25 | 1000 | 22.8 | 5 | 200 |
|
| MTZJ3V3B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.1% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.425 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 20 | 200 |
|
| MTZJ3V3A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.4% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.27 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 20 | 200 |
|
| BZX55B75 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 75 | 2.5 | 170 | 0.5 | 1000 | 56 | 0.1 | 200 |
|
| MTZJ3V0B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.4% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.115 | 5 | 120 | 0.5 | 1000 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZT52C4V3K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 4.3 | 5 | 90 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 150 |
|
