Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MTZJ4V7B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.8% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.68 | 5 | 80 | 1 | 900 | 1 | 5 | 200 |
|
| LLZ4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 100 | - | - | 1 | 5 | 200 |
|
| 1M180Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 180 | 1.4 | 1200 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 5 | 150 |
|
| MTZJ4V7A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 2.6% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.56 | 5 | 80 | 1 | 900 | 1 | 5 | 200 |
|
| 1N4758G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 56 | 4.5 | 110 | 0.25 | 2000 | 42.6 | 5 | 200 |
|
| LLZ3V9 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.9 | 5 | 100 | - | - | 1 | 5 | 200 |
|
| 1M160Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 160 | 1.6 | 1100 | 0.25 | 6500 | 121.6 | 5 | 150 |
|
| MTZJ4V3C | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.435 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
| 1N4757G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 51 | 5 | 95 | 0.25 | 1500 | 38.8 | 5 | 200 |
|
| 1M150Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 150 | 1.7 | 1000 | 0.25 | 6000 | 114 | 5 | 150 |
|
| MTZJ4V3B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
| 1N4756G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 47 | 5.5 | 80 | 0.25 | 1500 | 35.8 | 5 | 200 |
|
| 1M130Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 130 | 1.9 | 700 | 0.25 | 5000 | 98.8 | 5 | 150 |
|
| MTZJ4V3A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.165 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
| 1N4755G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 43 | 6 | 70 | 0.25 | 1500 | 32.7 | 5 | 200 |
|
| 1M120Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 120 | 2 | 550 | 0.25 | 4500 | 91.2 | 5 | 150 |
|
| MTZJ3V9B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.3% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.025 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
| 1N4754G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 39 | 6.5 | 60 | 0.25 | 1000 | 29.7 | 5 | 200 |
|
| 1M110Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 110 | 2.3 | 450 | 0.25 | 4000 | 83.6 | 5 | 150 |
|
| MTZJ3V9A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.875 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 5 | 200 |
|
