Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
1N4748A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 22 | 11.5 | 23 | 0.25 | 750 | 16.7 | 5 | 150 |
|
|
1N4748G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 22 | 11.5 | 23 | 0.25 | 750 | 16.7 | 5 | 200 |
|
|
1N4749A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 24 | 10.5 | 25 | 0.25 | 750 | 18.2 | 5 | 150 |
|
|
1N4749G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 24 | 10.5 | 25 | 0.25 | 750 | 18.2 | 5 | 200 |
|
|
1N4750A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 27 | 9.5 | 35 | 0.25 | 750 | 20.6 | 5 | 150 |
|
|
1N4750G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 27 | 9.5 | 35 | 0.25 | 750 | 20.6 | 5 | 200 |
|
|
1N4751A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 30 | 8.5 | 40 | 0.25 | 1000 | 22.8 | 5 | 150 |
|
|
1N4751G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 30 | 8.5 | 40 | 0.25 | 1000 | 22.8 | 5 | 200 |
|
|
1N4752A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 33 | 7.5 | 45 | 0.25 | 1000 | 25.1 | 5 | 150 |
|
|
1N4752G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 33 | 7.5 | 45 | 0.25 | 1000 | 25.1 | 5 | 200 |
|
|
1N4753A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 36 | 7 | 50 | 0.25 | 1000 | 27.4 | 5 | 150 |
|
|
1N4753G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 36 | 7 | 50 | 0.25 | 1000 | 27.4 | 5 | 200 |
|
|
1N4754A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 39 | 6.5 | 60 | 0.25 | 1000 | 29.7 | 5 | 150 |
|
|
1N4754G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 39 | 6.5 | 60 | 0.25 | 1000 | 29.7 | 5 | 200 |
|
|
1N4755A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 43 | 6 | 70 | 0.25 | 1500 | 32.7 | 5 | 150 |
|
|
1N4755G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 43 | 6 | 70 | 0.25 | 1500 | 32.7 | 5 | 200 |
|
|
1N4756A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 47 | 5.5 | 80 | 0.25 | 1500 | 35.8 | 5 | 150 |
|
|
1N4756G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 47 | 5.5 | 80 | 0.25 | 1500 | 35.8 | 5 | 200 |
|
|
1N4757A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 51 | 5 | 95 | 0.25 | 1500 | 38.8 | 5 | 150 |
|
|
1N4757G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 51 | 5 | 95 | 0.25 | 1500 | 38.8 | 5 | 200 |
|