Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZT52C12K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 12 | 5 | 25 | 1 | 80 | 9 | 0.1 | 150 |
|
|
BZT52B36S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 36 | 2 | 90 | 0.5 | 329 | 25.2 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52C6V8S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 6.8 | 5 | 15 | 1 | 75 | 4 | 1.8 | 150 |
|
|
TSZL52C13 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 13 | 5 | 25 | 1 | 110 | 10 | 0.1 | 125 |
|
|
BZT52C11K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 11 | 5 | 20 | 1 | 160 | 8 | 0.1 | 150 |
|
|
BZT52B33S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 33 | 2 | 80 | 0.5 | 306 | 23 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52C6V2S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 141 | 4 | 2.7 | 150 |
|
|
TSZL52C12 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 12 | 5 | 20 | 1 | 90 | 9 | 0.1 | 125 |
|
|
BZT52C10K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 10 | 5 | 20 | 1 | 160 | 7 | 0.1 | 150 |
|
|
BZT52B30S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 30 | 2 | 80 | 0.5 | 282 | 21 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52C5V6S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 5.6 | 5 | 40 | 1 | 376 | 2 | 0.9 | 150 |
|
|
TSZL52C11 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 11 | 5 | 20 | 1 | 70 | 8.5 | 0.1 | 125 |
|
|
BZT52C9V1K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 9.1 | 5 | 15 | 1 | 160 | 6 | 0.5 | 150 |
|
|
BZT52C5V1S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 5.1 | 5 | 60 | 1 | 451 | 2 | 1.8 | 150 |
|
|
TSCU52C10 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 10 | 5 | 15 | 1 | 70 | 7.5 | 0.1 | 125 |
|
|
BZT52C8V2K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 8.2 | 5 | 15 | 1 | 160 | 5 | 0.5 | 150 |
|
|
BZT52B27S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 27 | 2 | 80 | 0.5 | 282 | 18.9 | 0.045 | 150 |
|
|
BZT52C4V7S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 4.7 | 5 | 80 | 1 | 470 | 2 | 2.7 | 150 |
|
|
TSZL52C9V1 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 9.1 | 5 | 10 | 1 | 50 | 7 | 0.1 | 125 |
|
|
BZT52C7V5K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 7.5 | 5 | 15 | 1 | 160 | 4 | 0.5 | 150 |
|