Компоненты группы Выпрямительные диоды
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
VRMS В |
IF(RMS) (макс.) А |
IF(AV) А |
При TC °C |
I2t А2с |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| VBT3045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
| AR3PG | Быстродействующие выпрямительные лавинные диоды |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | - | - | 3 | - | - | 1.6 | 250 | 50 | 175 |
|
| GP1604 | Выпрямительный диод 400 В, 16 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 150 | 150 |
TO-220AB |
| S8JC | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 600 В, 8 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 8 | 25 | - | 0.985 | 10 | 600 | 150 |
|
| S1A | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 50 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 1 | 40 | 175 |
|
| VT3045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
| S2J | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 600 В, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 2 | 25 | - | 1.15 | 1 | 50 | 150 |
|
| AR3PD | Быстродействующие выпрямительные лавинные диоды |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | - | - | 3 | - | - | 1.6 | 250 | 50 | 175 |
|
| GP1603 | Выпрямительный диод 200 В, 16 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 150 | 150 |
TO-220AB |
| S8GC | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 400 В, 8 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 8 | 25 | - | 0.985 | 10 | 600 | 150 |
|
| LL4007G | Выпрямительный диод 1000 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 1 | 75 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
| VFT2045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.63 | - | 160 | 150 |
|
| S2G | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 400 В, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 2 | 25 | - | 1.15 | 1 | 50 | 150 |
|
| AS4PM | Выпрямительные лавинные диоды стандартного быстродействия |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | - | - | 4 | - | - | 1.044 | 150 | 100 | 175 |
|
| GP1602 | Выпрямительный диод 100 В, 16 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 150 | 150 |
TO-220AB |
| S5M | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 1000 В, 5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 5 | 25 | - | 1.15 | 10 | 100 | 150 |
|
| LL4006G | Выпрямительный диод 800 В, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 1 | 75 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
| VBT2045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.63 | - | 160 | 150 |
|
| S2D | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 200 В, 2 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 2 | 25 | - | 1.15 | 1 | 50 | 150 |
|
| AS4PK | Выпрямительные лавинные диоды стандартного быстродействия |
|
Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | - | - | 4 | - | - | 1.044 | 150 | 100 | 175 |
|
