Компоненты группы Выпрямительные диоды
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
VRMS В |
IF(RMS) (макс.) А |
IF(AV) А |
При TC °C |
I2t А2с |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
VFT2045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.63 | - | 160 | 150 |
|
|
VBT2045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.63 | - | 160 | 150 |
|
|
VT2045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.63 | - | 160 | 150 |
|
|
VFT1045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.64 | - | 100 | 150 |
|
|
VBT1045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.64 | - | 100 | 150 |
|
|
VT1045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | - | - | - | 0.68 | - | 100 | 150 |
|
|
1N4006G | Выпрямительный диод 800 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1BB | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 100 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
1N4005G | Выпрямительный диод 600 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
1N4007S | Кремниевый выпрямительный диод 1000 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 700 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1AB | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 50 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
1N4004G | Выпрямительный диод 400 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
1N4006S | Кремниевый выпрямительный диод 800 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1M | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 1000 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 1 | 30 | 175 |
|
|
1N4003G | Выпрямительный диод 200 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
1N4005S | Кремниевый выпрямительный диод 600 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1K | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 800 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 1 | 40 | 175 |
|
|
1N4002G | Выпрямительный диод 100 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
1N4004S | Кремниевый выпрямительный диод 400 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 400 | 280 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1J | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 600 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 1 | 40 | 175 |
|