Компоненты группы Выпрямительные диоды
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
VRMS В |
IF(RMS) (макс.) А |
IF(AV) А |
При TC °C |
I2t А2с |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
VT4045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 40 | - | - | 0.63 | - | 240 | 200 |
|
|
S2M | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 1000 В, 2 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 2 | 25 | - | 1.15 | 1 | 50 | 150 |
|
|
DSI30-12AS | Выпрямительный диод, 1200 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1200 | 1300 | - | 30 | 95 | 450 | 1.45 | 1000 | 300 | 150 |
|
|
AR3PK | Быстродействующие выпрямительные лавинные диоды | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | - | - | 3 | - | - | 1.9 | 500 | 50 | 175 |
|
|
GP1606 | Выпрямительный диод 800 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 150 | 150 |
TO-220AB |
|
S8MC | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 1000 В, 8 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 1000 | 700 | - | 8 | 25 | - | 0.985 | 10 | 600 | 150 |
|
|
1N4002S | Кремниевый выпрямительный диод 100 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1D | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 200 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 200 | 140 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 1 | 40 | 175 |
|
|
VFT3045BP-M3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
|
1T6 | Кремниевый выпрямительный диод 800 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 1 | 25 | 166 | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S2K | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 800 В, 2 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 2 | 25 | - | 1.15 | 1 | 50 | 150 |
|
|
DSI30-12A | Выпрямительный диод, 1200 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 1200 | 1300 | - | 30 | 95 | 450 | 1.45 | 1000 | 300 | 150 |
|
|
AR3PJ | Быстродействующие выпрямительные лавинные диоды | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | - | - | 3 | - | - | 1.6 | 250 | 50 | 175 |
|
|
GP1605 | Выпрямительный диод 600 В, 16 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 16 | 25 | - | 1.1 | 10 | 150 | 150 |
TO-220AB |
|
S8KC | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 800 В, 8 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 560 | - | 8 | 25 | - | 0.985 | 10 | 600 | 150 |
|
|
1N4001S | Кремниевый выпрямительный диод 50 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 50 | 35 | - | 1 | 25 | - | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
S1B | Выпрямительный диод в корпусе для поверхностного монтажа 100 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 100 | 70 | - | 1 | 25 | - | 1.1 | 1 | 40 | 175 |
|
|
VBT3045BP-E3 | Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) | Vishay |
Выпрямительные диоды |
1 | 45 | - | - | 30 | - | - | 0.6 | - | 200 | 200 |
|
|
1T5 | Кремниевый выпрямительный диод 600 В, 1 А | Taiwan Semiconductor |
Выпрямительные диоды |
1 | 600 | 420 | - | 1 | 25 | 166 | 1 | 5 | 30 | 150 |
|
|
DSI30-08AS | Выпрямительный диод, 800 В, 30 А | IXYS |
Выпрямительные диоды |
1 | 800 | 900 | - | 30 | 95 | 450 | 1.45 | 1000 | 300 | 150 |
|