Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGD10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D-PAK
STGD5NB120SZ-1 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
 1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 I-PAK
STGP10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 TO-220
STGP30NC60K IGBT-транзистор на 600 В, 30 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 26 100 2.7 29 12 120 85 350 435 185 Нет -55 ... -150 TO-220
STGB10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGB30NC60K IGBT-транзистор на 600 В, 30 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 26 100 2.7 29 12 120 85 350 435 185 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGW50NC60W N-канальный ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 55 А STMicroelectronics IGBT
 600 55 100 2.6 52 17 240 35 365 560 285 Нет -55 ... -150 TO-247
STGW20NC60V Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 600 30 100 2.5 31 11 100 75 220 330 200 Нет -55 ... -150 TO-247
STGP20NC60V Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 600 30 100 2.5 31 11 100 75 220 330 200 Нет -55 ... -150 TO-220
STGB20NC60V Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 600 30 100 2.5 31 11 100 75 220 330 200 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGP10NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 11 100 1.65 19 4 160 205 50 290 62.5 Нет -55 ... -150 TO-220
STGW19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 23 100 2.5 25 7 90 43 81 125 140 Нет -65 ... -150 TO-247
STGD10NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.65 19 4 160 205 50 290 60 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGP10NB60SFP 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 25 Нет -55 ... 150 TO-220FP
STGW40NC60W Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.5 33 12 168 36 302 349 250 Нет -55 ... -150 TO-247
STGP19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 22 100 2.5 25 7 90 43 81 125 130 Нет -65 ... -150 TO-220
STGB10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGW40NC60V N-канальный быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 50 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.5 43 17 140 45 330 720 260 Нет -55 ... -150 TO-247
STGB19NC60W Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 22 100 2.5 25 7 90 43 81 125 130 Нет -65 ... -150 D2-PAK
STGD10NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 2.5 14.2 5 72 85 31.8 95 60 Нет -55 ... -150 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники