STL25DN10F7 Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А
Блок-схема Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
Общее описаниеТехнология STripFET™ VII DeepGATE™, дополнившая собой обширный ряд компетенций компании STMicroelectronics в области проектирования полевых транзисторов, обеспечивает лучшие в отрасли характеристики эффективности, плотности мощности и надежности исполнения устройств на классы напряжений, требуемых в широком спектре промышленных приложений. Транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ идеально подходят для применения в системах с рабочим напряжением 48 В постоянного тока, широко применяемых в телекоммуникационном оборудовании. Устройства с рабочим напряжением 80 В или 100 В имеют достаточный запас надежности в условиях типовых скачков напряжения в 48-вольтовых цепях. Также, транзисторы STripFET VII DeepGATE с успехом могут применять в критически важных с точки зрения безопасности 12- и 24-вольтовых автомобильных приложениях. Основным преимуществом технологии STripFET VII DeepGATE компании STMicro является усовершенствованная структура затвора полевого транзистора, благодаря которой достигается более низкое сопротивление открытого канала, снижается внутренняя емкость и заряд затвора, что приводит к увеличению скорости и эффективности переключения. Транзисторы STripFET VII отличает высокая стойкость к лавинному пробою, что позволяет избежать потенциально разрушительных воздействий неблагоприятных режимов и обеспечить необходимый уровень защиты критически важных узлов системы. |
|
Datasheet
STL25DN10F7 Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А (490.1 Кб), 27.09.2013
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 27.09.2013 07:49 Дата редактирования: 27.09.2013 07:53 |