+ STL25DN10F7, Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А
 

STL25DN10F7 Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А

 

Блок-схема

STL25DN10F7, Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 2
VDS 100
RDS(ON) 10 В,мОм 80
ID 5
PD,Вт 60
Корпус PowerFLAT

Общее описание

Технология STripFET™ VII DeepGATE™, дополнившая собой обширный ряд компетенций компании STMicroelectronics в области проектирования полевых транзисторов, обеспечивает лучшие в отрасли характеристики эффективности, плотности мощности и надежности исполнения устройств на классы напряжений, требуемых в широком спектре промышленных приложений. Транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ идеально подходят для применения в системах с рабочим напряжением 48 В постоянного тока, широко применяемых в телекоммуникационном оборудовании. Устройства с рабочим напряжением 80 В или 100 В имеют достаточный запас надежности в условиях типовых скачков напряжения в 48-вольтовых цепях. Также, транзисторы STripFET VII DeepGATE с успехом могут применять в критически важных с точки зрения безопасности 12- и 24-вольтовых автомобильных приложениях.

Основным преимуществом технологии STripFET VII DeepGATE компании STMicro является усовершенствованная структура затвора полевого транзистора, благодаря которой достигается более низкое сопротивление открытого канала, снижается внутренняя емкость и заряд затвора, что приводит к увеличению скорости и эффективности переключения. Транзисторы STripFET VII отличает высокая стойкость к лавинному пробою, что позволяет избежать потенциально разрушительных воздействий неблагоприятных режимов и обеспечить необходимый уровень защиты критически важных узлов системы.

Datasheet
 
STL25DN10F7 (490.1 Кб), 27.09.2013

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STL25DN10F7 Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А (490.1 Кб), 27.09.2013




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 457
Дата публикации: 27.09.2013 07:49
Дата редактирования: 27.09.2013 07:53


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019