Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXBT28N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)

 

Блок-схема

IXBT28N170A, Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1700
Рабочий ток: IC,А 14
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 4.7
td(on) (тип.),нс 35
tr (тип.),нс 36
td(off) (тип.),нс 290
tf (тип.),нс 150
EON (тип.),мДж 0.7
EOFF (тип.),мДж 2.3
PD,Вт 300
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXBx28N170A (69.4 Кб), 17.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXBx28N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 30А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) (69.4 Кб), 17.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 801 		Дата публикации: 17.02.2012 11:34
Дата редактирования: 17.02.2012 11:35

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники