Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGY2N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 2А

 

Блок-схема

IXGY2N120, IGBT-транзистор, 1200 В, 2А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 2
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 3.8
td(on) (тип.),нс 15
tr (тип.),нс 30
td(off) (тип.),нс 500000
tf (тип.),нс 500
EOFF (тип.),мДж 1.2
PD,Вт 25
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-252 AA
Datasheet
 
IXGY2N120 (128.5 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGY2N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 2А (128.5 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 916 		Дата публикации: 15.02.2012 09:39
Дата редактирования: 15.02.2012 09:42

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники