+ NGTB25N120SWG, IGBT-транзистор на 1200 В, 25 А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

NGTB25N120SWG IGBT-транзистор на 1200 В, 25 А

 

Блок-схема

NGTB25N120SWG, IGBT-транзистор на 1200 В, 25 А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 25
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 2.4
td(on) (тип.),нс 87
tr (тип.),нс 74
td(off) (тип.),нс 179
tf (тип.),нс 136
EON (тип.),мДж 1.95
EOFF (тип.),мДж 0.6
PD,Вт 192
FWD Да
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-247

Общее описание
Datasheet
 
NGTB25N120SWG (84.7 Кб), 16.09.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

NGTB25N120SWG IGBT-транзистор на 1200 В, 25 А (84.7 Кб), 16.09.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 517 		Дата публикации: 16.09.2015 17:03
Дата редактирования: 16.09.2015 17:04

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники