+ NGTB50N60S1WG, IGBT-транзистор на 600 В, 50 А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

NGTB50N60S1WG IGBT-транзистор на 600 В, 50 А

 

Блок-схема

NGTB50N60S1WG, IGBT-транзистор на 600 В, 50 А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 50
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 2
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 47
td(off) (тип.),нс 237
tf (тип.),нс 67
EON (тип.),мДж 1.5
EOFF (тип.),мДж 0.46
PD,Вт 208
FWD Да
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-247

Общее описание
Datasheet
 
NGTB50N60S1WG (84.9 Кб), 16.09.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

NGTB50N60S1WG IGBT-транзистор на 600 В, 50 А (84.9 Кб), 16.09.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 617 		Дата публикации: 16.09.2015 16:54
Дата редактирования: 16.09.2015 16:58

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники