Блок-схема
Группа компонентов
IGBT
Основные параметры
VCES,В |
650
|
Рабочий ток: IC,А |
75
|
VCE(sat),В |
1.1
|
td(on) (тип.),нс |
120
|
tr (тип.),нс |
23
|
td(off) (тип.),нс |
275
|
tf (тип.),нс |
50
|
EON (тип.),мДж |
1.57
|
EOFF (тип.),мДж |
3.2
|
PD,Вт |
536
|
FWD |
Да
|
TA,°C |
от -40 до 175
|
Корпус |
TO-247-4
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Низкий уровень напряжения насыщения VCE(sat): 1.05 В
- Низкие потери на переключение: 1.6 мДж при температуре 25°C и токе коллектора 30 А
- Нестабильность электрических параметров при изменении температуры в диапазоне от 25°C до 175°C: не более 2%
- Снижение потерь на переключение на 20% за счёт использования 4-выводного корпуса TO-247 с Кельвин-эмиттером
- Высокая эффективность на частоте переключения 50 Гц
- Увеличенный срок службы и высокая надёжность
- Надёжность расчёта схем благодаря термостабильности электрических параметров транзистора
Область применения:
- Источники бесперебойного питания, выполненные по топологии NPC1 и NPC2
- Солнечные инверторы модифицированной топологии HERIC
- Сварочные аппараты с переменным выходным напряжением (сварочный инвертор с электродами из алюминий-марганцевой проволоки AL/MG)
|
Datasheet
IKZ75N65EL5 (1.8 Мб), 14.05.2015
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|