Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXXK200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through)

 

Блок-схема

IXXK200N65B4, IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through)
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 650
Рабочий ток: IC,А 200
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 1.7
td(on) (тип.),нс 62
tr (тип.),нс 76
td(off) (тип.),нс 245
tf (тип.),нс 80
EON (тип.),мДж 4.4
EOFF (тип.),мДж 2.2
PD,Вт 1150
FWD Нет
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-264

Общее описание

Особенности:

  • Частота до 30 кГц, малые потери
  • Положительный температурный коэффициент Uкэ
  • Быстродействующий встроенный диод с мягким восстановлением (Sonic-FRD)
  • Работоспособность в лавинном режиме
  • Рабочая температура до 175°С
  • Прямоугольная область безопасной работы RBSOA
  • Способность выдерживать токи короткого замыкания
  • Стандартные корпуса
Datasheet
 
IXXx200N65B4 (221.9 Кб), 26.06.2013

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXXx200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) (221.9 Кб), 26.06.2013



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1031 		Дата публикации: 26.06.2013 09:02
Дата редактирования: 26.06.2013 09:03

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники