Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

T1200TB25A Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 120 А с технологией Press-Pack

 

Блок-схема

T1200TB25A, Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 120 А с технологией Press-Pack
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 2500
Рабочий ток: IC,А 1200
VCE(sat),В 2.15
td(on) (тип.),нс 1000
tr (тип.),нс 2500
td(off) (тип.),нс 1500
tf (тип.),нс 8300
EON (тип.),мДж 2800
EOFF (тип.),мДж 2000
PD,Вт 5900
FWD Да
TA,°C от -40 до 125
Корпус Press-Pack Capsule W44
Datasheet
 
T1200TB25A (482.7 Кб), 21.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

T1200TB25A Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 1200 А с технологией Press-Pack (482.7 Кб), 21.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1237 		Дата публикации: 21.02.2012 09:29
Дата редактирования: 21.02.2012 09:32

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники