Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXBT10N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)

 

Блок-схема

IXBT10N170, Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1700
Рабочий ток: IC,А 10
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 3.4
td(on) (тип.),нс 35
tr (тип.),нс 28
td(off) (тип.),нс 600
tf (тип.),нс 1200
EON (тип.),мДж 0.7
EOFF (тип.),мДж 8
PD,Вт 140
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXBx10N170 (596.7 Кб), 17.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXBx10N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) (596.7 Кб), 17.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1006 		Дата публикации: 17.02.2012 11:29
Дата редактирования: 17.02.2012 11:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники