Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MMIX4G20N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А, конфигурация H-Bridge

 

Блок-схема

MMIX4G20N250, IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А, конфигурация H-Bridge
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 2500
Рабочий ток: IC,А 14
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 3.1
td(on) (тип.),нс 57
tr (тип.),нс 160
td(off) (тип.),нс 136
tf (тип.),нс 930
PD,Вт 100
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус SMD
Datasheet
 
MMIX4G20N250 (245 Кб), 17.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MMIX4G20N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А (245 Кб), 17.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 782 		Дата публикации: 17.02.2012 09:44
Дата редактирования: 17.02.2012 09:48

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники