Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGT2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А

 

Блок-схема

IXGT2N250, IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 2500
Рабочий ток: IC,А 2
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.6
td(on) (тип.),нс 26
tr (тип.),нс 89
td(off) (тип.),нс 74
tf (тип.),нс 204
PD,Вт 32
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXGx2N250 (178 Кб), 17.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А (178 Кб), 17.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 837 		Дата публикации: 17.02.2012 09:19
Дата редактирования: 17.02.2012 09:20

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники