Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXDN75N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 150А, низкое напряжение насыщения, технология NPT

 

Блок-схема

IXDN75N120, IGBT-транзистор, 1200 В, 150А, низкое напряжение насыщения, технология NPT

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 95
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 50
td(off) (тип.),нс 650
tf (тип.),нс 50
EON (тип.),мДж 12.1
EOFF (тип.),мДж 10.5
PD,Вт 660
FWD Нет
TA,°C от -40 до 150
Корпус SOT-227 B
Datasheet
 
IXDN75N120 (73.3 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXDN75N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 150А, низкое напряжение насыщения, технология NPT (73.3 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1321 		Дата публикации: 16.02.2012 09:55
Дата редактирования: 16.02.2012 09:57

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники