IXDN55N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 100А, низкое напряжение насыщения, технология NPT
Блок-схема ![]() Группа компонентов IGBTОсновные параметры
|
![]() Поставки и консультации:
Тел: (812) 325 3685
Тел: (812) 786 8579 (факс)
|
Datasheet
![](/project//images/filetypes/1_5.gif)
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 16.02.2012 09:53 Дата редактирования: 16.02.2012 09:54 |