Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGT32N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 75А

 

Блок-схема

IXGT32N100A3, IGBT-транзистор, 1000 В, 75А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1000
Рабочий ток: IC,А 32
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 1.9
td(on) (тип.),нс 52
tr (тип.),нс 23
td(off) (тип.),нс 400
tf (тип.),нс 770
EON (тип.),мДж 4.2
EOFF (тип.),мДж 13
PD,Вт 300
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXGx32N100A3 (123.8 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx32N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 75А (123.8 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 587 		Дата публикации: 15.02.2012 09:38
Дата редактирования: 15.02.2012 09:38

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники