Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGH25N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 50А

 

Блок-схема

IXGH25N100U1, IGBT-транзистор, 1000 В, 50А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1000
Рабочий ток: IC,А 25
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 3.5
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 250
td(off) (тип.),нс 720
tf (тип.),нс 950
EON (тип.),мДж 3.5
EOFF (тип.),мДж 10
PD,Вт 200
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247
Datasheet
 
IXGH25N100U1 (315.2 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGH25N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 50А (315.2 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 615 		Дата публикации: 15.02.2012 09:32
Дата редактирования: 15.02.2012 09:34

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники