Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGT60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 75А

 

Блок-схема

IXGT60N60, IGBT-транзистор, 600 В, 75А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 60
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 1.7
td(on) (тип.),нс 50
tr (тип.),нс 25
td(off) (тип.),нс 650
tf (тип.),нс 550
EON (тип.),мДж 3
EOFF (тип.),мДж 17
PD,Вт 300
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXGx60N60 (95.9 Кб), 13.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 75А (95.9 Кб), 13.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 529 		Дата публикации: 13.02.2012 07:29
Дата редактирования: 13.02.2012 07:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники