Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF8P9210NR3 Радиочастотный силовой LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.9 63 16.7 47.4 Да OM-780-4
MRF8P9040NR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
728 960 28 46.2 4 19.1 19.9 Да TO-270WB-4
MRF8P9040NBR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
728 960 28 46.2 4 19.1 19.9 Да TO-272WB-4
MRF8P9040GNR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
728 960 28 46.2 4 19.1 19.9 Да TO-270WB-4GULL
MRF8P8300HSR6 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
750 820 28 55.3 96 20.9 35.7 Да NI-1230-4S
MRF8P8300HR6 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
750 820 28 55.3 96 20.9 35.7 Да NI-1230-4H
MRF8P29300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2700 2900 30 55.1 320 13.3 50.5 Да NI-1230
NI-1230S
MRF8P26080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780S-4
MRF8P26080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780-4
MRF8P23160WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780S-4
MRF8P23160WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780-4
MRF8P23080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 47.4 16 14.6 42 Да NI-780S-4
MRF8P23080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 47.4 16 14.6 42 Да NI-780-4
MRF8P20165WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1995 28 50.2 37 16.3 47.7 Да NI-780S-4
MRF8P20165WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1995 28 50.2 37 16.3 47.7 Да NI-780-4
MRF8P20161HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 1920 28 49.9 37 16.4 45.8 Да NI-780S-4
MRF8P20160HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 50.3 37 16.5 45.8 Да NI-780S-4
MRF8P20160HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 50.3 37 16.5 45.8 Да NI-780-4
MRF8P20140WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 51.5 24 16 43.7 Да NI-780S-4L
MRF8P20140WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 51.5 24 16 43.7 Да NI-780H-4L
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019