+ MR2A08A, Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MR2A08A Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит

 

Блок-схема

MR2A08A, Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит
Увеличить

Группа компонентов

MRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 8
Время
выборки,нс		 35
VCC,В от 3 до 3.6
ICC(READ),мА 33
ICC(WRITE),мА 50
ICC(STB),мкА 8
TA,°C от 0 до 70
Корпус BGA-48 TSOPII-44

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Время цикла записи/чтения: 35 нс
  • Параметры синхронизации полностью совместимы со стандартной SRAM, позволяя использовать текущий контроллер памяти без изменения схемы устройства
  • Неограниченное кол-во циклов записи/чтения
  • Энергонезависимая память со сроком хранения не менее 20 лет
  • Позволяет заменить различные типы памяти - FLASH, SRAM, EEPROM и NVRAM
  • Напряжение питания: 3.3В
  • Автоматическая защита данных при падении напряжения
  • Доступны коммерческий, промышленный и автомобильный диапазоны рабочих температур
Datasheet
 
MR2A08A (1.6 Мб), 30.07.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

MR2A08A Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит (1.6 Мб), 30.07.2009

Связанные документы

Память
Магниторезистивная память MRAM — быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме (38.8 Кб), 31.07.2009



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1422 		Дата публикации: 30.07.2009 15:01
Дата редактирования: 31.07.2009 14:40

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники