Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
DMN2114SN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 - - - 100 - 1.2 0.5 SC-59
DMN2112SN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 - - - 100 - 1.2 0.5 SC-59
DMN2104L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 - - - 42 - 4.3 1.4 SOT-23-3
DMN2100UDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 56 - - 32 - 3.3 0.9 SOT-26
DMN2050L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 - - - 24 - 5.9 1.4 SOT-23-3
DMN2040LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 20 - - - 19 - 7 2 SOP-8L
DMN2009LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 - - - 9 8 12 2 SOP-8L
DMN2005K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 3500 - 1700 - - 0.6 0.35 SOT-23-3
DMN2004WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-323
DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.25 SOT-563
DMN2004TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.15 SOT-523
DMN2004K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.35 SOT-23-3
DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-363
DMN2004DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.225 SOT-26
DMN100 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 170 240 1.1 0.5 SC-59
DMG6968U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 28 - - 21 - 6.5 0.81 SOT-23-3
DMG3415U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 51 - - 31 - -4 0.9 SOT-23-3
CSD86350Q5D Силовой блок NexFET™ Texas Instruments MOSFET
 - 2 25 - - - 6.6 - 0.001 2.8 SON-8
CSD75301W1015 P-Channel – Dual Common Source CICLON NexFET Power MOSFETs Texas Instruments MOSFET
 P 2 -20 - - - 62 - -2.2 1.5 CSP-6 1x1.5
CSD75205W1015 Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком Texas Instruments MOSFET
 P 2 -20 145 - - 95 - -1.2 0.75 WLP-6
Страницы: предыдущая 1 ... 417 418 419 420 421 422 423 424 425 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники